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VGF坩埚

 ● 产品概述
   VGF坩埚是应用于VGF技术中的一类坩埚,垂直梯度凝固法(VGF)技术是目前流行的技术,是微光电子和半导体产业生长GaAs单晶和InP单晶的良好选择。

● 主要特点:
   1.可制作大规格坩埚(最大直径为8inch,最大高度为18inch);
   2.纯度保证(>99.99%);
   3.使用次数多(具有优异的层间结构);
   4.成晶率高(通过对各向异性的调整,保证高的成晶率
)
● 主要参数:

性能

单位

数值

密度

g/cm3

2.0-2.19

体积电阻系数

Ω·cm

3.11×1011

抗张强度 (力|| “C”)

N/mm2

153.86

抗弯强度

(力|| “C”)

N/mm2

243.63

(力⊥“C”)

N/mm2

197.76

显微硬度

 -

N/mm2

691.88

热传导率

 -

-

“a”方向    “c”方向

(200℃)

W/m·k

       60              2.60

(900℃)

W/m·k

      43.70          2.80

介电强度(室温)

KV/mm 

56

● 产品应用:

用于VGF法合成半导体单晶及Ⅲ-Ⅴ族化合物。
联系方式:
   订购热线:0534-2129266
*公司网址:http://www.guojingxincai.com

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