●产品概述：
目前半导体刻蚀用的比较多的是等离子干法刻蚀技术，它是利用等离子体进行薄膜微细加工的技术。干法刻蚀工艺过程是化学反应作用和物理轰击作用的结合。相比于传统的湿法刻蚀技术，干法刻蚀技术由于具有良好的各向异性和工艺可控性已被广泛应用于微电子产品制造领域，如今更是逐渐扩展到LED等领域。固体碳化硅主要应用在刻蚀机的聚焦环、边界环、莲蓬头。
● 主要特点：
1.强度高（莫氏硬度9.5，仅次于金刚石）；
2.耐酸碱盐及有机溶剂的腐蚀；
3.半导体。
● 主要参数：
石英、硅、RB碳化硅、CVD碳化硅四种物质的性质比较：
| 相关指标 | 石英 | 硅 | RB碳化硅 | CVD碳化硅 |
|
密度 |
2.2 |
2.33 |
3.1 |
3.21 |
|
抗弯强度（MPa） |
49 |
~300 |
350 |
590 |
|
弹性模量（MPa*104） |
7.8 |
- |
41 |
45 |
|
韧性（MN/m3/2） |
- |
- |
3.5 |
- |
|
C.T.E(*10-6/K) |
0.5 |
2.3 |
4.3 |
4 |
|
导热系数（W/m.K） |
1.3 |
150 |
67 |
250 |
|
电阻系数（Ωcm） |
1013 |
0.02,1~5 外 |
0.1 |
0.01~20000 |
|
晶体结构 |
不规则 |
立方型 |
六方型 |
立方（β –型） |
|
晶格常数(Å) |
- |
a = 5.4307 |
a = 3.0, c= 10 ~37 |
a = 4.3596 |
|
能隙(eV) |
- |
1.11 |
2.86 |
2.20 |
|
介电常数 |
- |
11.7 |
6.52 |
6.52 |
|
分解温度(℃) |
- |
- |
1,500℃ |
2,000℃↑ |
|
共融温度(℃) |
1,700℃ |
1,427℃ |
- |
- |
●联系方式：
订购热线：0534-2129266
*公司网址：http://www.guojingxincai.com
